
Транзистор FGA15N120ANTDTU_F109
163,70 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 250 ₴
- Готово к отправке 33 ед.
- Оптом и в розницу
- Код: 029321
+380 (93) 253-93-23
Только дял звонков- +380 (50) 800-28-80Звонки и месенджери
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
1200 V, 15 A NPT Trench IGBT
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 1.2 кВ |
| Напруга затвор-емітер | 20 В |
| Макс. струм колектора (25°C) | 30 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 15 А |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 30 А |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 15 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 210 / 280 нс |
| Потужність розсіювання при 25°C | 186 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 30 шт |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 1.2 V |
| Макс. постійний струм діода (100°C), А | 15 |
| Макс. постійний струм діода (25°C), А | 30 |
| Макс. струм колектора (100°C), А | 15 |
| Макс. струм колектора (25°C), А | 30 |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C, Вт | 186 |
| Стандартне пакування | 30 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 210 / 280 нс |
Информация для заказа
- Цена: 163,70 ₴

