
Транзистор TGAN80N65F2DS
159,65 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- В наличии 25 ед.
- Оптом и в розницу
- Код: 049849
+380 (93) 253-93-23
- +380 (50) 800-28-80
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
650V, 80A IGBT+DIODE
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Макс. струм колектора (25°C) | 160 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 80 А |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 80 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 62 / 168 нс |
| Потужність розсіювання при 25°C | 577 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 30 шт |
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 80 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 80 А |
| Макс. струм колектора (25°C) | 160 А |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 577 Вт |
| Стандартне пакування | 30 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 62 / 168 нс |
Информация для заказа
- Цена: 159,65 ₴

