Транзистор YGQ100N65FP
233,81 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
- Готово до відправки 140 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 044646
Транзистор YGQ100N65FPГотово до відправки 140 од.
233,81 ₴
+380 (93) 253-93-23
Тільки дзвінки- +380 (50) 800-28-80Дзвінки та месенджери
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
650V /100A Trench Field Stop IGBT
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO247-PLUS |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 В |
| Напруга затвор-емітер | 20 В |
| Макс. струм колектора (25°C) | 200 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 100 А |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 150 А |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 75 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 50 нс (typ) |
| Потужність розсіювання при 25°C | 500 Вт |
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO247-PLUS |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Макс. постійний струм діода (100°C), А | 75 |
| Макс. постійний струм діода (25°C), А | 150 |
| Макс. струм колектора (100°C), А | 100 |
| Макс. струм колектора (25°C), А | 200 |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C, Вт | 500 |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 50 нс (typ) |
Інформація для замовлення
- Ціна: 233,81 ₴