Транзистор SiHG20N50C-E3
89,42 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
- Готово до відправки 271 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 016381
Транзистор SiHG20N50C-E3Готово до відправки 271 од.
89,42 ₴
+380 (93) 253-93-23
Тільки дзвінки- +380 (50) 800-28-80Дзвінки та месенджери
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-Channel MOSFET 500V, 20A, 0.27Ω
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO247 |
| Структура | N |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік | 500 В |
| Vgs - напруга затвор-витік | ±30 В |
| Id25 - постійний струм стоку при 25°C | 20 А |
| Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C | 11 А |
| Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V | 0.225 Ом |
| VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон) | 3 ... 5 В |
| Потужність розсіювання при 25°C | 250 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 25 шт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id25 - постійний струм стоку при 25°C | 20 А |
| Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C | 11 А |
| Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V | 0.225 Ом |
| V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік | 500 В |
| VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон) | 3... 5 В |
| Vgs - напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO247 |
| Потужність розсіювання при 25°C, Вт | 250 |
| Стандартне пакування | 25 шт |
| Структура | N |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
Інформація для замовлення
- Ціна: 89,42 ₴