Транзистор MPBW50N65E
127,38 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
- Готово до відправки 174 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 046406
Транзистор MPBW50N65EГотово до відправки 174 од.
127,38 ₴
+380 (93) 253-93-23
Тільки дзвінки- +380 (50) 800-28-80Дзвінки та месенджери
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
650V-50A Trench and Field StopIGBT
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO247 |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 В |
| Напруга затвор-емітер | 20 В |
| Макс. струм колектора (25°C) | 80 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 50 А |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 80 А |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 50 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 105 / 150 нс |
| Потужність розсіювання при 25°C | 300 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 30 шт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Michael Phelps |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247 |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Макс. постійний струм діода (100°C), А | 50 |
| Макс. постійний струм діода (25°C), А | 80 |
| Макс. струм колектора (100°C), А | 50 |
| Макс. струм колектора (25°C), А | 80 |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C, Вт | 300 |
| Стандартне пакування | 30 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 105 / 150 нс |
Інформація для замовлення
- Ціна: 127,38 ₴