
Транзистор GT50JR22
89,42 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
- Готово до відправки 41 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 033404
+380 (93) 253-93-23
Тільки дзвінки- +380 (50) 800-28-80Дзвінки та месенджери
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT+Diode 600V 50A
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 В |
| Напруга затвор-емітер | 25 В |
| Макс. струм колектора (25°C) | 50 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 44 А |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 40 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 350 нс (typ) |
| Потужність розсіювання при 25°C | 230 Вт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 V |
| Макс. постійний струм діода (25°C), А | 40 |
| Макс. струм колектора (100°C), А | 44 |
| Макс. струм колектора (25°C), А | 50 |
| Напруга затвор-емітер | 25 V |
| Потужність розсіювання при 25°C, Вт | 230 |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 350 нс (typ) |
Інформація для замовлення
- Ціна: 89,42 ₴

