
Транзистор GT50JR22
86,60 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- В наявності 97 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 033404
+380 (93) 253-93-23
- +380 (50) 800-28-80
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT+Diode 600V 50A
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 V |
| Напруга затвор-емітер | 25 V |
| Макс. струм колектора (25°C) | 50 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 44 А |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 40 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 350 нс (typ) |
| Потужність розсіювання при 25°C | 230 Вт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 V |
| Макс. постійний струм діода (25°C) | 40 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 44 А |
| Макс. струм колектора (25°C) | 50 А |
| Напруга затвор-емітер | 25 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 230 Вт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 350 нс (typ) |
Інформація для замовлення
- Ціна: 86,60 ₴

