
Транзистор SGT50T65FD1PN
66,79 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- В наявності 63 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 051530
+380 (93) 253-93-23
- +380 (50) 800-28-80
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
50A,600V,Field Stop IGBT
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO3P |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Макс. струм колектора (25°C) | 100 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 50 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 38 нс (typ) |
| Потужність розсіювання при 25°C | 235 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 30 шт |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO3P |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Макс. струм колектора (100°C) | 50 А |
| Макс. струм колектора (25°C) | 100 А |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 235 Вт |
| Стандартне пакування | 30 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 38 нс (typ) |
Інформація для замовлення
- Ціна: 66,79 ₴

