
Транзистор TGAN80N65F2DS
159,65 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- В наявності 25 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 049849
+380 (93) 253-93-23
- +380 (50) 800-28-80
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
650V, 80A IGBT+DIODE
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Макс. струм колектора (25°C) | 160 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 80 А |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 80 А |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 62 / 168 нс |
| Потужність розсіювання при 25°C | 577 Вт |
| Тип пакування | Туба |
| Стандартне пакування | 30 шт |
Характеристики
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 V |
| Макс. постійний струм діода (100°C) | 80 А |
| Макс. струм колектора (100°C) | 80 А |
| Макс. струм колектора (25°C) | 160 А |
| Напруга затвор-емітер | 20 V |
| Потужність розсіювання при 25°C | 577 Вт |
| Стандартне пакування | 30 шт |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Тип пакування | Туба |
| Час відновлення діода (25°C/tmax) | 62 / 168 нс |
Інформація для замовлення
- Ціна: 159,65 ₴

